Электроника и автоматика на МК

Основные различия

Принцип работы

• BJT (Биполярный транзистор) управляется током. Имеет три слоя: эмиттер, база, коллектор.
• MOSFET (Полевой транзистор) управляется напряжением. Состоит из затвора, истока и стока.

Управление

• BJT требует постоянного тока на базе, что увеличивает энергопотребление.
• MOSFET требует только напряжения на затворе, минимизируя энергопотребление.

Электрические характеристики

• BJT обладает высоким коэффициентом усиления по току (β) и хорошей линейностью.
• MOSFET имеет низкое эквивалентное серийное сопротивление (ESR) и высокую скорость переключения.

Преимущества и недостатки

BJT

• Высокий коэффициент усиления.
• Отличная линейность для аналоговых усилителей.

• Высокое энергопотребление на управление.
• Медленнее в переключении.

MOSFET

• Высокая скорость переключения.
• Низкое энергопотребление на управление.
• Высокая эффективность в качестве переключателей.

• Более высокая стоимость.
• Чувствительны к статическому электричеству.

Области применения

BJT

• Аналоговые усилители.
• Усилители мощности в аудиосистемах.
• Коммутационные схемы с низкой скоростью.

MOSFET

• Цифровые схемы и микропроцессоры.
• Переключатели в источниках питания (SMPS).
• Высокочастотные приложения и драйверы двигателей.

Выбор между MOSFET и BJT

• Требуется высокая линейность и коэффициент усиления.
• Применение в аналоговых усилителях.

• Необходима высокая скорость переключения и низкое энергопотребление.
• Применение в цифровых схемах и высокочастотных устройствах.

Заключение